EEPROMとフラッシュROMの違いコンピュータの初期の時代から、
コンピューティングに依存するすべてのタイプのデバイスは、長期間、またはデバイスの電源がオフになるまで、データを格納するために、1つのメモリ形式または別の形式を備えています。過去において、電子デバイスは、その機能を実行するために必要なすべてのデータを保持するための何らかの不揮発性の記憶方法を必要としていました。この開発により、EPROMとその後継であるEEPROM（Electrically Erasable Programmable Memory）が作成されました。 EEPROMの主な特徴は、プログラマがメモリに埋め込まれたデータを一度に1バイトずつ変更できるため、データの入力方法をより詳細に制御できることです。しかし、この方法では特にデータを消去するときに非常に時間がかかります。 EEPROMは、出荷前にわずか数回プログラムされていたが、パッチを介して更新できる電子機器に主に使用されていました。これの一例は、私たちのコンピュータのBIOS（Basic Input Output System）を保持するチップです。さらに機能を追加したり、出荷時に発見されなかったバグを修正するために、メーカーからの更新プログラムで再プログラムすることができます。
フラッシュメモリは、メモリのセクションをブロックに結びつけるEEPROMのオフショーです。フラッシュメモリへのデータの書き込みはまだバイトレベルで行われますが、内容を消去するとブロック全体が消去されます。この特徴により、フラッシュメモリはEEPROMよりも高速であるという利点が得られました。フラッシュメモリは非常に普及しました。なぜなら、ハードディスクに比べて消費電力が非常に少なく、耐久性が非常に高いからです。過度の熱や圧力に耐えられ、さらには水に浸されることもあります。フラッシュメモリは、老朽化したフロッピーディスクの瞬間的な後継となりました。耐久性だけでなく、その大容量と比較的小さなサイズのためです。フラッシュメモリの唯一の欠点は、EEPROMのように、失敗する前に一定量のデータサイクルしか持続できないことです。
<！ - 2 - >EEPROMとFlashは、今日でも非常に広く使用されている2つのメモリタイプです。可能性は低いと思われるかもしれませんが、フラッシュはEEPROMの専用バージョンであり、ユーザーが大量のデータを消去してデバイスの全体的なスピードを向上させることができます。その違いにもかかわらず、両方の形式のメモリが近い将来も存在することは明らかです。
