FETとMOSFETの違い

FETとMOSFET

半導体デバイスであるトランジスタは、当社のすべての最新技術を可能にするデバイスです。これは、入力電圧または電流に基づいて電流を制御し、さらにはそれを増幅するためにも使用されます。 BJTとFETの2種類のトランジスタがあります。各主要カテゴリの下には、多くのサブタイプがあります。これはFETとMOSFETの最も大きな違いです。 FETは、電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor）の略であり、ドレインとソースとの間の電流を制御するために、ゲート上の電圧によって生成される電場に集合的に依存する非常に異なるトランジスタのファミリーである。多くのタイプのFETの1つは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタまたはMOSFETである。金属酸化物半導体は、トランジスタのゲートと基板との間の絶縁層として使用される。

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現在、ほとんどのMOSFETの酸化物絶縁は、二酸化シリコンです。シリコンは金属ではなくメタロイドであるため、混乱するかもしれません。最初は金属が実際に使用されましたが、その優れた特性のためにシリコンで置き換えられました。二酸化ケイ素は基本的に、電圧がゲートに印加されるたびに電荷を保持するコンデンサである。この電荷は、反対に荷電した粒子を引っ張るか、または同じ電荷で粒子をはじくことによって電界を作り出し、ドレインとソースの間の電流の流れを許すか、または制限する。

<！デジタル回路で使用可能なトランジスタは数多くありますが、現時点ではMOSFETが推奨されています。 CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）は基本的にp型とn型のMOSFETをペアにしてお互いを補完する。この構成では、スイッチング時にはMOSFETの消費電力が大きく、MOSFETの状態は保持されません。これは、電力および熱限界がエッジに押し出される最新のコンピューティング機器では、特に望ましいことです。他のタイプのFETは、この能力を再現することができないか、または製造コストが高すぎる。

<！ MOSFETの進歩は絶え間なく進化しており、企業規模が小さくなるにつれてサイズも大きくなります。しかし、3D MOSFETのような設計においても、多くの約束を示しています。研究者がそれに適した他のタイプのトランジスタを見つけることを試みるにつれて、MOSFETが今日選択されているトランジスタである。要約：

1。 MOSFETはFETの一種である。 MOSFETは、デジタル回路用の好ましいタイプのFETです。